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Dr Juan Pereiro Viterbo

医生胡安佩雷罗维泰博

讲师
凝聚态物质和光子学组

物理学和天文学的学校

电子邮件:
pereiroviterboj@cardiff.ac.uk
电话:
44(0)29 2087 0933
位置:
N / 0.09,女王的建筑 - 北楼,5游行,新港路,加的夫,CF24 3AA

我的主要研究兴趣是外延生长的研究,开发新的工具来监控外延动力和增长的新材料。所得到的膜被直接或通过研究协作和目标包括(但不限于):

III-V族半导体和纳米结构:外延动力学,光电子,半导体器件 

Magnetic材料(特别是磁性半导体) 

2D材料的外延生长和属性

超导

我目前的研究重点在薄膜成核和松弛现象和III-作为半导体纳米结构研究。实验室主机采用独特的分子束外延/低能量电子显微镜系统,其允许在z轴上以原子级分辨率外延生长和5纳米的分辨率在X-Y方向中的样品的表面的真实和倒易空间实时成像。一些原位表征工具正在开发中,以方便我们与学术界和工业界合作伙伴的互动。

博士。娟佩雷罗(JP)在2009年11月接受了物理学博士学位在大学politecnica马德里(UPM-ISOM),研究在宽带隙半导体,生长,制造,装置的设计和表征。

跟随他的博士学位,他被任命为新加坡南洋理工大学的研究员,并曾在布鲁克海文国家实验室(NY,USA)在医生的访问学者。伊凡bozovic’的分子束外延基。他的工作是集中在高温超导体的生长和表征。 JP研究LA2-xsrxcuo4纳米结构的形成,参与了金属的发现到绝缘体转变在WO3薄膜,并应用于低能量电子显微镜(LEEM)至病毒和超导结构成像。

接下来,日本被任命为在加州大学圣地亚哥分校教授(圣地亚哥,CA,USA)博士后研究员。伊万ķ。 schuller’的组,他在超导体和磁性材料的生长和表征工作。 JP参加了一个新的磁性材料的发现。

荣誉和奖励

从马德里政府FPI奖学金(研究员人员培训)(批:2004年,持续时间:4年)

在2014年授予IBS年轻科学家奖学金

成员:物理研究所
委员会半导体物理学组IOP的构件
居里夫人的同胞开始2016年9月
裁判在同行评审的美国物理学会,美国物理学会,物理研究所,IEEE和爱思唯尔出版。

2019

2017

2015

2014

2013

2012

2011

2010

研究兴趣

我目前的研究重点在薄膜成核和松弛现象和III-作为半导体纳米结构研究。

实验室主机采用独特的分子束外延/低能量电子显微镜系统,其允许在z轴上以原子级分辨率增长和5纳米的分辨率在X-Y方向中的样品的表面的真实和倒易空间实时成像。

专业领域

外部配置文件